#include "stmflash.h"

 
//读取指定地址的字(32位数据) 
//faddr:读地址 
//返回值:对应数据.
uint32_t STMFLASH_ReadWord(uint32_t faddr)
{
	return *(volatile uint32_t*)faddr; 
}

//获取某个地址所在的flash扇区
//addr:flash地址
//返回值:0~11,即addr所在的扇区
uint8_t STMFLASH_GetFlashSector(uint32_t addr)
{
	if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_1)return FLASH_SECTOR_0;
	else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_2)return FLASH_SECTOR_1;
	else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_3)return FLASH_SECTOR_2;
	else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_4)return FLASH_SECTOR_3;
	else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_5)return FLASH_SECTOR_4;
	else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_6)return FLASH_SECTOR_5;
	else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_7)return FLASH_SECTOR_6;
	else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_8)return FLASH_SECTOR_7;
	else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_9)return FLASH_SECTOR_8;
	else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_10)return FLASH_SECTOR_9;
	else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_11)return FLASH_SECTOR_10;   
	return FLASH_SECTOR_11;	
}

//从指定地址开始写入指定长度的数据
//特别注意:因为STM32F4的扇区实在太大,没办法本地保存扇区数据,所以本函数
//         写地址如果非0XFF,那么会先擦除整个扇区且不保存扇区数据.所以
//         写非0XFF的地址,将导致整个扇区数据丢失.建议写之前确保扇区里
//         没有重要数据,最好是整个扇区先擦除了,然后慢慢往后写. 
//该函数对OTP区域也有效!可以用来写OTP区!
//OTP区域地址范围:0X1FFF7800~0X1FFF7A0F(注意：最后16字节，用于OTP数据块锁定，别乱写！！)
//WriteAddr:起始地址(此地址必须为4的倍数!!)
//pBuffer:数据指针
//NumToWrite:字(32位)数(就是要写入的32位数据的个数.) 
#if STM32_FSeries_TYPE == STM32_F4XX
void STMFLASH_Write(uint32_t WriteAddr,uint32_t *pBuffer,uint32_t NumToWrite)	
{ 
	FLASH_EraseInitTypeDef FlashEraseInit;
	HAL_StatusTypeDef FlashStatus=HAL_OK;
	uint32_t SectorError=0;
	uint32_t addrx=0;
	uint32_t endaddr=0;	
	if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||WriteAddr%4)return;	//非法地址
    
	HAL_FLASH_Unlock();             //解锁	
	addrx=WriteAddr;				//写入的起始地址
	endaddr=WriteAddr+NumToWrite*4;	//写入的结束地址
    
	if(addrx<0X1FFF0000)
	{
		while(addrx<endaddr)		//扫清一切障碍.(对非FFFFFFFF的地方,先擦除)
		{
			 if(STMFLASH_ReadWord(addrx)!=0XFFFFFFFF)//有非0XFFFFFFFF的地方,要擦除这个扇区
			{   
				FlashEraseInit.TypeErase=FLASH_TYPEERASE_SECTORS;       //擦除类型，扇区擦除 
				FlashEraseInit.Sector=STMFLASH_GetFlashSector(addrx);   //要擦除的扇区
				FlashEraseInit.NbSectors=1;                             //一次只擦除一个扇区
				FlashEraseInit.VoltageRange=FLASH_VOLTAGE_RANGE_3;      //电压范围，VCC=2.7~3.6V之间!!
				if(HAL_FLASHEx_Erase(&FlashEraseInit,&SectorError)!=HAL_OK) 
				{
					break;//发生错误了	
				}
				}else addrx+=4;
				FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME);                //等待上次操作完成
		}
	}
	FlashStatus=FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME);            //等待上次操作完成
	if(FlashStatus==HAL_OK)
	{
		 while(WriteAddr<endaddr)//写数据
		 {
			if(HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,WriteAddr,*pBuffer)!=HAL_OK)//写入数据
			{ 
				break;	//写入异常
			}
			WriteAddr+=4;
			pBuffer++;
		}  
	}
	HAL_FLASH_Lock();           //上锁
}
#endif

// #if STM32_FSeries_TYPE == STM32_F1XX  // 103 系列的写，擦除页
// #if STM32_FLASH_SIZE<256
// #define STM_SECTOR_SIZE 1024 //字节
// #else 
// #define STM_SECTOR_SIZE	2048
// #endif		 
// uint16_t STMFLASH_BUF[STM_SECTOR_SIZE/2];//最多是2K字节
// void STMFLASH_Write(uint32_t WriteAddr,uint16_t *pBuffer,uint16_t NumToWrite)	
// {
// 	uint32_t secpos;	   //扇区地址
// 	uint16_t secoff;	   //扇区内偏移地址(16位字计算)
// 	uint16_t secremain; //扇区内剩余地址(16位字计算)	   
//  	uint16_t i;    
// 	uint32_t offaddr;   //去掉0X08000000后的地址
	
// 	if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||(WriteAddr>=(STM32_FLASH_BASE+1024*STM32_FLASH_SIZE)))return;//非法地址
	
// 	HAL_FLASH_Unlock();					//解锁
// 	offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE;		//实际偏移地址.
// 	secpos=offaddr/STM_SECTOR_SIZE;			//扇区地址  0~127 for STM32F103RBT6
// 	secoff=(offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2;		//在扇区内的偏移(2个字节为基本单位.)
// 	secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff;		//扇区剩余空间大小   
// 	if(NumToWrite<=secremain)secremain=NumToWrite;//不大于该扇区范围
// 	while(1) 
// 	{	
// 		STMFLASH_Read(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//读出整个扇区的内容
// 		for(i=0;i<secremain;i++)	//校验数据
// 		{
// 			if(STMFLASH_BUF[secoff+i]!=0XFFFF)break;//需要擦除  	  
// 		}
// 		if(i<secremain)				//需要擦除
// 		{
// 			FLASH_PageErase(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE);	//擦除这个扇区
// 			FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME);            	//等待上次操作完成
// 			CLEAR_BIT(FLASH->CR, FLASH_CR_PER);							//清除CR寄存器的PER位，此操作应该在FLASH_PageErase()中完成！
// 																		//但是HAL库里面并没有做，应该是HAL库bug！
// 			for(i=0;i<secremain;i++)//复制
// 			{
// 				STMFLASH_BUF[i+secoff]=pBuffer[i];	  
// 			}
// 			STMFLASH_Write_NoCheck(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//写入整个扇区  
// 		}else 
// 		{
// 			FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME);       	//等待上次操作完成
// 			STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain);//写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间. 
// 		}
// 		if(NumToWrite==secremain)break;//写入结束了
// 		else//写入未结束
// 		{
// 			secpos++;				//扇区地址增1
// 			secoff=0;				//偏移位置为0 	 
// 		   	pBuffer+=secremain;  	//指针偏移
// 			WriteAddr+=secremain*2;	//写地址偏移(16位数据地址,需要*2)	   
// 		   	NumToWrite-=secremain;	//字节(16位)数递减
// 			if(NumToWrite>(STM_SECTOR_SIZE/2))secremain=STM_SECTOR_SIZE/2;//下一个扇区还是写不完
// 			else secremain=NumToWrite;//下一个扇区可以写完了
// 		}	 
// 	};	
// 	HAL_FLASH_Lock();		//上锁
// }
// #endif 

//从指定地址开始读出指定长度的数据
//ReadAddr:起始地址
//pBuffer:数据指针
//NumToRead:字(32位)数
void STMFLASH_Read(uint32_t ReadAddr,uint32_t *pBuffer,uint32_t NumToRead)   	
{
	uint32_t i;
	for(i=0;i<NumToRead;i++)
	{
		pBuffer[i]=STMFLASH_ReadWord(ReadAddr);//读取4个字节.
		ReadAddr+=4;//偏移4个字节.	
	}
}


int STMFLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address)
{
    return FLASH_ErasePage( Page_Address);
}

//////////////////////////////////////////测试用///////////////////////////////////////////
//WriteAddr:起始地址
//WriteData:要写入的数据
void Test_Write(uint32_t WriteAddr,uint32_t WriteData)   	
{
	STMFLASH_Write(WriteAddr,&WriteData,1);//写入一个字 
}